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晶振為什么要加電容

問題一：晶振兩邊為什么要加諧振電容呢晶振兩邊的諧振電容也稱負載電容。晶體外殼所標注的頻率，既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率，而是在外接負載電容時測定的頻率，數(shù)值界乎于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。

當然，你也可以這樣理解：晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標稱值一致,也就是說，只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。

希望對你有所幫助。問題二：晶振為什么要加電容需要配多大電容這要根據(jù)晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定,同是16MHZ的晶體諧振器,其負載電容值有可能不一樣,如10PF,20PF…..負載電容值是在其生產(chǎn)加工過程中確定的,無法進行改變.購買晶振時應(yīng)該能得到準確的規(guī)格書. 晶振在電路中使用時,應(yīng)滿足CL=C+CS. CL為規(guī)格書中晶振的負載電容值, C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到), CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計,元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF. 所以根據(jù)以上公式就可以大概推算出應(yīng)該使用的電容值,而且這一電容值可以使晶振工作在其標稱頻率附近. 問題三：為什么單片機的外接晶振要并連兩個電容？ 30分單片機的外接晶振要對地連接兩個電容，這兩個電容是晶體振蕩器的兩個負載電容器，起著匹配負載頻率的作用，有了這兩個電容器，電路更容易起振，頻率更為穩(wěn)定。不同的晶振，要求不同的負載電容器。問題四：單片機中的外接晶振為什么要并上兩個電容？？為什么好要接到??？組成諧振回路。

模電里面電容三點式知道吧后一個問題看不懂。問題五：一直搞不明白晶振為什么要加電容，哪位大神幫我解答一下？晶振負載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準確度。

如果負載電容不夠準確，那么買來的晶體準確度就會差。揚興教你怎么計算負載電容，計算公式：晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C式中Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內(nèi)部電容） △C（PCB上電容）一般為3至5pf。問題六：為什么晶振兩端要外接兩個電容呢這兩個是穩(wěn)頻電容器，一般不接也可以，對單片機工作沒有任何影響。

問題七：無源晶振為何要選好匹配電容無源晶振的負載電容，其實也是匹配電容一個12M晶振的負載電容為12.5PF，那么在匹配12.5PF的電容是，晶振輸出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么無源晶振輸出的頻率會與12M差很多。實際上調(diào)整的負載電容時，就是在調(diào)整晶振的輸出頻率。

那么如何確定這個電容值，你就一目了然了，將電容換成可變電容，在輸出端連接頻率計，調(diào)整可變電容，直到輸出頻率為你所需要的頻率時，這時的可變電容值就是你所需要的負載電容值。電容不能太小，晶體不起振，當電容太大，會失去振蕩平衡，造成電路工作不穩(wěn)定。問題八：單片機最小系統(tǒng)為什么晶振要加電容單片機的引腳XTAL1、XTAL2與MCU內(nèi)部反相放大器U1及反饋電阻R1連接(如圖)，又與外部的石英晶體X1及電容C1,C2連接，組成諧振電路，為MCU提供頻率穩(wěn)定的工作時鐘。 C1與C1(加上元件引腳的輸入電容)組成諧振電路的負載電容，C1,C1一般取20pF～30pF。

問題九：單片機最小系統(tǒng)為什么晶振要加電容晶振旁邊的電容有協(xié)助起振與穩(wěn)定振蕩的作用。一般頻率高的會用較低的電容、頻率低的會用較高的電容。電容過大會使信號衰減、并因吸收能量過大而抑制振湯。問題十：請教：單片機晶振為何要加匹配電容匹配電容：負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。

一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負載電容了。

（資料出自YXC揚興晶振官網(wǎng)） 2．負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負載電容值附近調(diào)整可以得到**頻率。

此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。 3．一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。 4．負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。

負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

為什么單片機的外接晶振要并連兩個電容？

單片機的外接晶振要對地連接兩個電容，這兩個電容是晶體振蕩器的兩個負載電容器，起著匹配負載頻率的作用，有了這兩個電容器，電路更容易起振，頻率更為穩(wěn)定。不同的晶振，要求不同的負載電容器。

為什么晶振兩端要外接兩個電容呢

這兩個電容叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發(fā)。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度百科，也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。

實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點。

以接地點即分壓點為參考點, 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的。
當兩個電容量相等時, 反饋系數(shù)是 0.5, 一般是可以滿足振蕩條件的, 但如果不易起振或振蕩不穩(wěn)定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量。

擴展資料：
晶振的功能作用：
晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路;RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。

另一種為簡單的分立RC振蕩器。
基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。

但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。
需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。

具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。
影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。

上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。
這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。

硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取?br/> 選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。

比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。
在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。

相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。
硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。

在特定的應(yīng)用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

為什么單片機晶振要加電容

晶振是晶體振蕩器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端**，電工學上這個**有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當?shù)慕咏?，在這個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。