全球前十名的閃存制造商是?
全球前十名的閃存制造商是?
全球芯片制造業(yè)與**芯片制造現(xiàn)狀 [一]全球范圍內(nèi)主要存在兩種服務(wù)模式:**種是IDM(Integrated Device Manufactrue)模式，另一種是晶圓代工(Foundry)模式。 IDM 模式的特點是，企業(yè)經(jīng)營范圍涵蓋了芯片設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試等各環(huán)節(jié)，甚至延伸至下游終端。
美國和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要采用這一模式，典型的IDM大廠有:IBM 、三星、東芝、 NEC 等。
晶圓代工則是專業(yè)化分工的產(chǎn)物。在該模式下，晶圓代工廠只專注于 IC 制造環(huán)節(jié)，不涉足設(shè)計和封測，不推出自己的產(chǎn)品，只為設(shè)計公司(Fabless)和 IDM (委外訂單)提供代工服務(wù)，從而避免了與客戶之間直接的利益沖突。 計算機和手機對半導(dǎo)體商務(wù)保持了**的推動作用， MP3音樂播放器受到廣大消費者的歡迎，去年閃存芯片制造商的銷售收入獲得戲劇性增長。去年全球半導(dǎo)體的銷售收入為2350億美元 2005年全球**前十名半導(dǎo)體制造商依次是：英特爾公司、三星電子公司、德州儀器公司、東芝公司、意法半導(dǎo)體公司、瑞薩科技公司、英飛凌公司、飛利浦公司、現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和 NEC公司。
全球半導(dǎo)體的銷售繼續(xù)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移，包括**、****、韓國和新加坡在內(nèi)的亞太地區(qū)的半導(dǎo)體銷售收入去年增長了11%，在全球半導(dǎo)體銷售中所占的比例已經(jīng)達到44.5%。歐洲、中東和非洲是第二個增長速度最快的地區(qū)，同比增長了4%，北美增長了1%，日本僅增長了0.2%。 [二]**集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達到3420億元**幣。
IC制造方面，目前**在建的6 英寸線有8 條、5 英寸線有1 條，擬建6 英寸線有8 條。到2006 年底，國內(nèi)的6 英寸生產(chǎn)線和5 英寸生產(chǎn)線將分別達到21 條和9 條，其中大部分屬于外商投資企業(yè)。晶圓尺寸方面，從 2004年起200mm的產(chǎn)能增長率就已經(jīng)比所有其它尺寸的晶圓要快(除300mm之外)。
但從晶圓片數(shù)來看，一直到2005年末，**大陸的晶圓產(chǎn)能仍由100mm和150mm主導(dǎo)。2006年，200mm的產(chǎn)能將超過所有其它尺寸的晶圓，真正成為市場的主流。 —SMIC(中芯國際)、HHNEC(華虹日電)及Grace(宏力)等。
8英寸圓片，0.18至0.25微米工藝批量生產(chǎn)水平，國外市場為主; —全球TSMC及UMC(聯(lián)電)外，尚有新加坡的Chartered(全球代工業(yè)第三，月產(chǎn)能力12萬片)，南韓的東邦/亞南(2003年上半年，全球代工排名第四，營收1.75億美元)，SMIC(全球第五，1.15億美元)以及馬來西亞的First Silicon，Silterra和以色列的Tower等。 —ASMC(先進)，華潤上華及寧波中偉等，他們多用6英寸圓片，0.35至0.8微米工藝，主要市場也在國外。大多是合資企業(yè)。 —杭州士蘭是****家上市的民營半導(dǎo)體企業(yè)，采用4至6英寸圓片，0.5至2.0微米工藝技術(shù)，以國內(nèi)市場為主。
—沈陽科希-硅技半導(dǎo)體技術(shù)**有限公司(Keysi-STL Semiconductor Manufacturing IstCo.Ltd in Shynyang)是渾南新區(qū)注冊成立的外商獨資企業(yè)。該公司由美國科希國際公司(Keysi International，Inc.)和韓國Silicon Tech Limited聯(lián)合創(chuàng)辦，主要從事微電子技術(shù)開發(fā)，集成電路芯片設(shè)計、制造、封裝和測試。 科希-硅技的芯片制造一廠主要生產(chǎn)6英寸手機用FBAR通訊芯片和兩英寸藍(lán)白光二級管W／B LED。目前，世界上只有美國和韓國能生產(chǎn)FBAR，該項目的百科建設(shè)將使**成為世界上第三個生產(chǎn)FBAR的**。
科希-硅技沈陽芯片制造二廠將生產(chǎn)8英寸晶圓項目(美中日韓合作)。主要產(chǎn)品為LCD Module(液晶顯示模塊)，廣泛應(yīng)用于電腦和手機。 —英特爾預(yù)計投資20億美元的12英寸廠已經(jīng)選址大連 [三]整體而言，我國半導(dǎo)體硅材料行業(yè)規(guī)模還很小，自給能力嚴(yán)重不足，生產(chǎn)單晶硅所需要的多晶硅90%尚需從國外進口;單晶硅產(chǎn)量雖然呈逐年穩(wěn)步上升趨勢，但跟國內(nèi)巨大的市場需求相比，市場缺口仍然很大。IC制造所需要的拋光片和外延片則絕大部分需要進口。
我國生產(chǎn)的單晶硅58%是太陽能級。目前國內(nèi)企業(yè)主要以生產(chǎn)4~6英寸硅片為主，還不能批量供應(yīng)8英寸以上硅拋光片。研發(fā)實力較強的研硅股也只能少量生產(chǎn)8英寸陪片，12英寸拋光片處于研制階段。
多晶硅產(chǎn)品則僅有峨嵋半導(dǎo)體廠和洛陽中硅能少量供應(yīng)，還遠(yuǎn)不能滿足國內(nèi)需求。
做手機內(nèi)存的上市公司有哪些
內(nèi)存顆粒廠家有：東芝，西門子，Micron美光（邁克龍），HY（現(xiàn)代），三星，NANYA（南亞），Infineon(英飛凌)，鈺創(chuàng)(EtronTech)，Winbond(華邦），LG，日立， 內(nèi)存貼牌廠家有：Corsair（海盜船），Kingston(金士頓)、Apacer(宇瞻)、金邦（GELL），Transcend(創(chuàng)建)，勝創(chuàng)KINGMAX，威剛，Kingtiger金泰克，SMART世邁等
什么是閃存？有什么用？
閃存的基本概念 閃存的英文名稱是\”Flash Memory\”，一般簡稱為\”Flash\”，它也屬于內(nèi)存器件的一種。不過閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存則是一種不揮發(fā)性(Non-Volatile)內(nèi)存，在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
NAND閃存的存儲單元則采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊，NAND的存儲塊大小為8到32KB），這種結(jié)構(gòu)**的優(yōu)點在于容量可以做得很大，超過512MB容量的NAND產(chǎn)品相當(dāng)普遍，NAND閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
NAND閃存的缺點在于讀速度較慢，它的I/O端口只有8個，比NOR要少多了。這區(qū)區(qū)8個I/O端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比NOR閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修正，可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣泛用于移動存儲、數(shù)碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。
三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND閃存制造商，其中三星電子憑借價格和技術(shù)雙重優(yōu)勢獲得了**領(lǐng)先的市場份額，甚至在去年第三季度超過Intel公司成為全球**的閃存制造商。由于受到數(shù)碼設(shè)備強勁發(fā)展的帶動，NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長，NAND可望在2006年超過NOR成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。 數(shù)碼閃存卡：主流數(shù)碼存儲介質(zhì) 數(shù)碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數(shù)字設(shè)備是閃存最主要的市場。
前面提到，手機領(lǐng)域以NOR型閃存為主、閃存芯片被直接做在內(nèi)部的電路板上，但數(shù)碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設(shè)備要求存儲介質(zhì)具備可更換性，這就必須制定出接口標(biāo)準(zhǔn)來實現(xiàn)連接，閃存卡技術(shù)應(yīng)運而生。閃存卡是以閃存作為核心存儲部件，此外它還具備接口控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是閃存卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB接口。由于歷史原因，閃存卡技術(shù)未能形成業(yè)界統(tǒng)一的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，許多廠商都開發(fā)出自己的閃存卡方案。
目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。 CF卡（CompactFlash） CF卡是美國SanDisk 公司于1994引入的閃存卡，可以說是最早的大容量便攜式存儲設(shè)備。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm，相當(dāng)于筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。
CF卡內(nèi)部擁有獨立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設(shè)備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數(shù)多達五十針。這種連接方式穩(wěn)定而可靠，并不會因為頻繁插拔而影響其穩(wěn)定性。 CF卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有**的抗震性能， CF卡比軟盤、硬盤之類的設(shè)備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應(yīng)3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當(dāng)于桌面硬盤的百分之五。
這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現(xiàn)之后便成為數(shù)碼相機的**存儲設(shè)備。經(jīng)過多年的發(fā)展，CF卡技術(shù)已經(jīng)非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實，受到各數(shù)碼相機制造商的普遍喜愛，CF卡目前在數(shù)碼相機存儲卡領(lǐng)域的市場占有率排在第二位。 MMC卡 (MultiMediaCard) MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司于1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多;其重量也多在2克以下，并且具有耐沖擊、可反復(fù)讀寫30萬次以上等特點。從本質(zhì)上看，MMC與CF其實屬于同一技術(shù)體系，兩者結(jié)構(gòu)都包括快閃存芯片和控制器芯片，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡里面，導(dǎo)致生產(chǎn)難度和制造成本都很高、價格較為昂貴。
MMC主要應(yīng)用與移動電話和MP3播放器等體積小的設(shè)備，而由于體積限制，MMC卡的容量提升較為困難，目前MMC產(chǎn)品以128M容量為主，256MB、512MB主要供應(yīng)給數(shù)碼發(fā)燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)的極速1-2GB MMC存儲卡問世，新標(biāo)準(zhǔn)的MMC多媒體存儲卡讀取速度**達到了150倍速（22.5MB/S），而寫入速度也達到了驚人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)同樣和原有的MMC存儲卡及SD存儲卡插槽兼容，可廣泛使用在手機、數(shù)碼相機、掌上電腦、其他移動數(shù)字設(shè)備等。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)由MMCA多媒體存儲卡協(xié)會在MMC3.2標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上推出的。
SD卡（Secure Digital） SD卡的英文全稱是Secure Digital Card，意為安全數(shù)碼卡，它由日本松下公司、東芝公司和美國SanDisk公司共同研制。SD卡仍屬于MMC標(biāo)準(zhǔn)體系，SD比MMC卡多了一個進行數(shù)字版權(quán)保護的暗號認(rèn)證功能（SDMI規(guī)格），故而得名。 SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm，面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。
但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高達1GB的SD卡。不過當(dāng)前的主流還是64M、128M和256M容量，512MB以上的產(chǎn)品還相當(dāng)昂貴。讀寫速度快是SD卡的另一個優(yōu)點，它的**讀寫速度已突破20MB/s、幾乎達到閃存讀寫速度的極限。
此外，SD卡還保持對MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多數(shù)都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易于制造，在成本上有不少優(yōu)勢，SD卡得到了廣泛應(yīng)用，在MP3播放器、移動電話、數(shù)碼相機、掌上電腦及便攜式攝像機，目前SD卡接口支持者除了東芝、松下和SanDisk外，還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。 SM卡（SmartMedia）與xD卡 SM卡被稱為\”智能型媒體卡\”，尺寸為37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能較為單一，用戶必須使用配有讀寫及控制功能的專用設(shè)備才能對其操作，SM卡規(guī)范的升級變化比較大。
請問華為ufs3.0手機有哪些
目前華為手機里面用了ufs3.0的，榮耀的v30和華為的mate30系列。ufs3.0是**的閃存存儲方案，主要面向智能手機等移動設(shè)備，號稱可帶來媲美高端PCSSD固態(tài)硬盤的性能。
華為技術(shù)有限公司（HUAWEITECHNOLOGIESCO.,LTD.）是一家生產(chǎn)銷售通信設(shè)備的民營通信科技公司，成立于1987年，總部位于**廣東省深圳市龍崗區(qū)。
華為作為全球領(lǐng)先的信息與通信技術(shù)（ICT）解決方案供應(yīng)商，專注于ICT領(lǐng)域，為運營商客戶、企業(yè)客戶和消費者提供有競爭力產(chǎn)品和服務(wù)，曾獲“2019**品牌強國盛典年度榮耀品牌”。 2007年合同銷售額160億美元，其中海外銷售額115億美元，并且是當(dāng)年**國內(nèi)電子行業(yè)營利和納稅**。截至到2008年底，華為在國際市場上覆蓋100多個**和地區(qū)，全球排名前50名的電信運營商中，已有45家使用華為的產(chǎn)品和服務(wù)。華為的產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)應(yīng)用于全球150多個**，服務(wù)全球運營商50強中的45家及全球1/3的人口。
什么叫手機閃存？
閃存閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。
由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。概念閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。因為閃存不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。
根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商和不同的應(yīng)用，閃存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤（MICRODRIVE）這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的。技術(shù)特點NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較小;而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行，手機就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機的“內(nèi)存”容量通常不大;NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存儲卡都是用NAND型閃存。
單片機閃存這里我們還需要端正一個概念，那就是閃存的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤采用USB2.0接口之后會獲得巨大的性能提升。前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計和接口設(shè)計有關(guān)，它操作起來確實挺像硬盤（其實NAND型閃存在設(shè)計之初確實考慮了與硬盤的兼容性），它的性能特點也很像硬盤：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲介質(zhì)大的多。
這種性能特點非常值得我們留意。閃存存取比較快速，無噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購置的話可以不考慮太多，同樣存儲空間買閃存。
如果需要容量空間大的（如500G），就買硬盤，較為便宜，也可以滿足用戶應(yīng)用的需求。分類按種類分U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe閃存卡按品牌分金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創(chuàng)見、愛國者、紐曼、威剛、聯(lián)想、臺電、微星、SSK?！綨AND型閃存】內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512字節(jié)）。
每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分，實際上還要加上16字節(jié)的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資Sandisk料當(dāng)中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是（512+16）字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到（2048+64）字節(jié)。NAND型閃存以塊（sector）為單位進行擦除操作。
閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節(jié)的頁（page），容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512字節(jié)。但較大容量的NAND型閃存也越來越多地采用16條I/O線的設(shè)計，如三星編號K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是（256+8）×16bit，還是512字節(jié)。
尋址時，NAND型閃存通過8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔堪鼈魉?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個時鐘周期。NAND的地址信息包括列地址（頁面中的起始操作地址）、塊地址和相應(yīng)的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，占用三個周期。
隨著容量的增大，地址信息會更多，需要占用更多的時鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個重要特點就是容量越大，尋址時間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲介質(zhì)長，因此NAND型閃存比其他存儲介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。[1] 而比我們平常用的U盤存儲量更大，速度更快的閃存產(chǎn)品要屬PCIe閃存卡了，它采用低功耗，高性能的閃存存儲芯片，以提高應(yīng)用程序性能。
由于它們直接插到服務(wù)器中，數(shù)據(jù)位置接近服務(wù)器的處理器，相比其它通過基于磁盤的存儲**路徑來獲取信息大大節(jié)省了時間。企業(yè)正在轉(zhuǎn)向這種技術(shù)以解決存儲密集型工作負(fù)載，比如事務(wù)處理應(yīng)用。在PCIe閃存卡方面，LSI公司新的Nytro產(chǎn)品，擴大其基于閃存的應(yīng)用加速技術(shù)到各種規(guī)模的企業(yè)。LSI推出了三款產(chǎn)品，到一個正變得越來越擁擠的PCIe閃存適配器卡市場。
LSI Nytro產(chǎn)品戰(zhàn)略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用閃存存儲、LSI的SAS集成控制器和來自公司收購的閃存控制器制造商SandForce的技術(shù)。其第二代基于PCIe的應(yīng)用加速卡容量從200GB到3.2TB不等。Nytro XD應(yīng)用加速存儲解決方案的軟件和硬件的組合。
它集成了WarpDrive卡與Nytro XD智能高速緩存軟件，以提高在存儲區(qū)域**(SAN)和直接附加存儲(DAS)實現(xiàn)中的I/O速度。**，還有Nytro MegaRAID應(yīng)用加速卡，它結(jié)合了MegaRAID控制器與板載閃存和緩存軟件，LSI公司將Nytro MegaRAID的定位面向低端，針對串行連接SCSI(SAS)DAS環(huán)境的性能增強解決方案。微軟的SQL Server產(chǎn)品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的閃存產(chǎn)品在微軟服務(wù)器環(huán)境中的未來。因為 LSI的閃存產(chǎn)品Nytro MegaRAID可以幫助微軟SQL實現(xiàn)了每秒交易的10倍增長，[1] “閃存存儲技術(shù)，如LSI的Nytro應(yīng)用加速產(chǎn)品組合，可以用來加速關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的聲明中表示“隨著微軟將在Windows Server 8中提供的增強，這些技術(shù)的重要性將繼續(xù)增長。
”存儲原理要講解閃存的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路（存儲細(xì)胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。
它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮。
